Автор Правда.Ру

МОЛЕКУЛЯРНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ ПОЗВОЛИТ МГНОВЕННО ЗАГРУЖАТЬ КОМПЬЮТЕР

Группа ученых из Национальных лабораторий Sandia в США разработала технологию нанесения сверхтонких металлических пленок на оксидные поверхности. Новая тонкопленочная технология поможет сделать важные шаги в разработке магниторезистивной памяти (MRAM), которая использует для хранения информации магнитные свойства материала, а не электрический заряд, дешевле и быстрее традиционных типов памяти и не теряет данные при отключении питания.

 

 Металлы на оксидных поверхностях имеют тенденцию образовывать не гладкий поверхностный слой, а неровные скопления. Группа специалистов под руководством Скотта Чамберса (Scott Chambers) смогла нанести слои металла кобальта на сапфировую подложку (сапфир химически представляет собой оксид алюминия) с помощью гидроксильных молекул, реакции которых с веществом подложки позволяют обеспечить необходимую скорость роста ровной поверхности.

 

 "В промышленном отношении осуществление данного процесса сводится, например, всего лишь к воздействию на оксид алюминия водяных паров под низким давлением перед окончательным нанесением слоя кобальта", - пояснил г-н Чемберс. При этом разработчики технологии подчеркивают, что процесс (протекающий, кстати, при комнатной температуре) позволяет наносить не только кобальт на сапфир, но применим и к широкому ряду металлов и оксидов.

 

 "Многие современные технологии требуют надежного взаимодействия между металлами и оксидами, - отметил г-н Чемберс. - Данные открытия могут дать промышленности, нуждающейся в совершенствовании свойств материалов, используемых в производстве микроэлектронных устройств и сенсоров, новый, молекулярный, подход".

 

 Особенную роль сделанное открытие может сыграть в разработке новой полупроводниковой магниторезистивной памяти (MRAM), использующей для хранения бита информации не электрический заряд, а магнитное состояние - данные будут храниться в металл-оксидных сандвич-структурах даже без подачи питания. Данное свойство магниторезистивной памяти позволит, в частности, практически мгновенно загружать компьютеры. Ожидается, что устройства на базе MRAM смогут появиться на рынке уже в ближайшие годы.

Источник: CNews

Не забывайте присоединяться к Pravda.Ru во ВКонтакте, Telegram, Одноклассниках, Google+, Facebook, Twitter. Установи "Правду.Ру" на главную страницу "Яндекса". Мы рады новым друзьям!

Комментарии
Вадим Горшенин: кого распять за скандал с мальчиком из Уренгоя
Тайна "Прометея": куда направлен ЗРК С-500
Правительство Подмосковья продает свою долю в ЦППК
Вадим Горшенин: кого распять за скандал с мальчиком из Уренгоя
ООН приняла резолюцию против Крыма. Что теперь будет?
Сало снижает риск развития опасных заболеваний
Интерактивную карту затоплений из-за ледников разработали в NASA
Бизнес умоляет Путина остановить Медведева
Вадим Горшенин: кого распять за скандал с мальчиком из Уренгоя
"Да, немцы потерпели поражение. Но..."
Новый пресс-секретарь Шойгу "взорвала" соцсети
"Отец" карательных батальонов: нападем на Россию и заберем Крым!
Вадим Горшенин: кого распять за скандал с мальчиком из Уренгоя
СМИ: зрители обвинили "Первый канал" в одурачивании страны
Сенсация: доказан расстрел Майдана снайперами из Грузии
Вадим Горшенин: кого распять за скандал с мальчиком из Уренгоя
"Да, немцы потерпели поражение. Но..."
"Да, немцы потерпели поражение. Но..."
Вадим Горшенин: кого распять за скандал с мальчиком из Уренгоя
СМИ: зрители обвинили "Первый канал" в одурачивании страны
Экс-сотрудница NASA сделала сенсационное заявление о пребывании на Марсе