Александр Латышев. Последние новости на сегодня

Александр Васильевич Латышев (род. 4 января 1959 год) — российский учёный, специалист в области синтеза пленочных и наноразмерных полупроводниковых структур из молекулярных пучков, полупроводниковых нанотехнологий для нового поколения элементной базы наноэлектроники и структурной диагностики низкоразмерных систем, доктор физико-математических наук, академик (2016), директор Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (с 2013 год), заведующий лабораторией нанодиагностики и нанолитографии (с 1998 год).

Образование:

• Окончил Новосибирский государственный университет.

Научные интересы:

Основным направлением научной деятельности Латышева А. В. является изучение механизмов атомных процессов на поверхности и границах раздела при формировании полупроводниковых систем пониженной размерности для нового поколения элементной базы микро- и наноэлектроники. Результаты его работ создают основу современного электронного материаловедения.

Латышевым А. В. с сотрудниками ведутся работы по совершенствованию имеющихся и созданию новых методов нанолитографии, в частности, в руководимой им лаборатории методами высокоразрешающей электронно-лучевой литографии получены структуры с размерами до 10 нм, в которых наблюдались квантовые явления при переносе заряда. Особые успехи были получены в работах по развитию методов нанолитографии с применением сканирующих зондовых микроскопов.

Под руководством Латышева А. В. в ИФП СО РАН проводятся многочисленные исследования по диагностике полупроводниковых материалов и приборов микро и наноэлектроники методами высокоразрешающей, сканирующей, отражательной электронной микроскопии, а также сканирующей зондовой микроскопии на основе атомно-силового микроскопа.

Научные достижения:

Наиболее значительным результатом работ Латышева А. В. явилось создание уникальной системы сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии для in situ характеризации атомных процессов при:

• молекулярно-лучевой эпитаксии
• твердофазных реакциях
• взаимодействии газов с поверхностью монокристаллического кремния.

Латышевым А. В. выполнен цикл пионерских работ по изучению структурных перестроек на поверхностях кремния, которые внесли принципиально новое понимание в физику формирования субмонослойных покрытий. Впервые был теоретически обоснован и экспериментально открыт эффект электромиграции адсорбированных атомов кремния, который вызывает перераспределение элементарных атомных ступеней на поверхности кремния. Впервые:

• установлено влияние поверхностных фазовых переходов на кластерирование моноатомных ступеней на поверхности кремния
• установлена структура высокотемпературной поверхности кремния
• обнаружено аномальное движение ступеней при сверхструктурном переходе.

Полученные результаты использованы для разработки и совершенствования технологии молекулярно-лучевой эпитаксии и дают пути создания новых приборов полупроводниковой наноэлектроники на основе обнаруженных эффектов самоорганизации на поверхности кремния.

Награды и почётные звания:

• Премия Правительства РФ в области образования (2014 г.)

Профиль Александра Васильевича Латышева на официальном сайте РАН

Страница А. В. Латышева на сайте Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН

Профиль на общероссийском математическом портале

Работы в реестре российской государственной библиотеки

Профиль на сайте СО РАН