Разработана новейшая "магнитная" память

MRAM (магниторезистивная память случайного доступа) хранит информацию благодаря своим магнитным свойствам. Аналитики уже назвали эту память наиболее значимой разработкой за последние 10 лет. MRAM может быть использована в самых разнообразных устройствах.

Главное преимущество MRAM заключается в том, что она сохраняет информацию даже после отключения электропитания. Компания Freescale произвела 4 Mbit MRAM. Многие компании, в том числе такой электронный гигант, как IBM, пытались добиться чего-то на этой стезе в течение более чем 10 лет, но в результате первой стала Freescale - специалисты компании создали чип, который может использоваться во многих современных электронных устройствах.

Это радикально новая технология. В отличие от флэш-памяти, которая также является энергонезависимой, MRAM гораздо более скоростная, срок её службы практически неограничен. MRAM подходит для использования в портативных устройствах, например, ноутбуках и карманных компьютерах.

Артём НЕДОЛУЖКО, сотрудник РАН